İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 12.6V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.1V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 12V ~ 20V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 17V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 3.5V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 2.3V, -,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7.5V ~ 16V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 2.4V, 9.6V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9.5V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.8V, 4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.5V ~ 13.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 2V, 4V; 3V, 6V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 40V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.7V, 1.7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 55V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.6V, 3.3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 22V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 14.3V ~ 15.7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 30V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.5V,