Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

PMIC - Qapı Sürücüləri

MIC4451BM-TR
Microchip Technology

MIC4451BM-TR

hissə-hissə: 8387

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
MIC4429BM-TR
Microchip Technology

MIC4429BM-TR

hissə-hissə: 8334

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
MIC4467CWM
Microchip Technology

MIC4467CWM

hissə-hissə: 3343

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
ISL6614CBZA-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CBZA-T

hissə-hissə: 5167

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6613BECB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BECB-T

hissə-hissə: 4913

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6612IRZ-TR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612IRZ-TR5238

hissə-hissə: 8180

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6605CBZA-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605CBZA-T

hissə-hissə: 4343

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2V,

İstək siyahısına
ISL6613ECB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613ECB

hissə-hissə: 5009

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6613ECBZ-TR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613ECBZ-TR5214

hissə-hissə: 7985

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6207HBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6207HBZ

hissə-hissə: 4145

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2V,

İstək siyahısına
ISL6612IB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612IB-T

hissə-hissə: 4621

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6614CRZA-TR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CRZA-TR5214

hissə-hissə: 8852

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
HIP6602BCRZ
Renesas Electronics America Inc.

HIP6602BCRZ

hissə-hissə: 3980

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL2100AABZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL2100AABZ-T

hissə-hissə: 8890

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 3.7V, 7.4V,

İstək siyahısına
ISL6612EIB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612EIB

hissə-hissə: 4617

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
EL7252CS
Renesas Electronics America Inc.

EL7252CS

hissə-hissə: 3708

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
ISL6612CBZAR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CBZAR5214

hissə-hissə: 7978

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6614ACBZA-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614ACBZA-T

hissə-hissə: 5119

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
IXDN414SI
IXYS

IXDN414SI

hissə-hissə: 5281

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 35V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

İstək siyahısına
IXDE504SIAT/R
IXYS

IXDE504SIAT/R

hissə-hissə: 6288

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 30V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

İstək siyahısına
IXS839AQ2T/R
IXYS

IXS839AQ2T/R

hissə-hissə: 6832

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

İstək siyahısına
IXD611S7
IXYS

IXD611S7

hissə-hissə: 6114

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 35V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 2.4V, 2.7V,

İstək siyahısına
IXDI414CI
IXYS

IXDI414CI

hissə-hissə: 8675

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 35V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V,

İstək siyahısına
MC33151DR2
ON Semiconductor

MC33151DR2

hissə-hissə: 5420

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 6.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,

İstək siyahısına
FAN5110MX
ON Semiconductor

FAN5110MX

hissə-hissə: 7257

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 13.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

İstək siyahısına
FAN7081CM_F085
ON Semiconductor

FAN7081CM_F085

hissə-hissə: 8373

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V,

İstək siyahısına
NCP3418BMNR2G
ON Semiconductor

NCP3418BMNR2G

hissə-hissə: 5538

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.6V ~ 13.2V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

İstək siyahısına
FAN7190M-F085
ON Semiconductor

FAN7190M-F085

hissə-hissə: 9011

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 22V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,

İstək siyahısına
SI9913DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI9913DY-T1-E3

hissə-hissə: 9438

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V,

İstək siyahısına
L6388
STMicroelectronics

L6388

hissə-hissə: 3533

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 17V (Max), Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.1V, 1.8V,

İstək siyahısına
L6388D013TR
STMicroelectronics

L6388D013TR

hissə-hissə: 3580

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 17V (Max), Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.1V, 1.8V,

İstək siyahısına
L6386E
STMicroelectronics

L6386E

hissə-hissə: 6914

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 17V (Max), Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

İstək siyahısına
L6387D
STMicroelectronics

L6387D

hissə-hissə: 3479

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 17V (Max), Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

İstək siyahısına
TPS2835PWPR
Texas Instruments

TPS2835PWPR

hissə-hissə: 8716

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2V,

İstək siyahısına
IXDD614D2TR
IXYS Integrated Circuits Division

IXDD614D2TR

hissə-hissə: 8760

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 35V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

İstək siyahısına
IRS2608DSTRPBF
Infineon Technologies

IRS2608DSTRPBF

hissə-hissə: 7615

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına