Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

PMIC - Qapı Sürücüləri

EL7156CSZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.

EL7156CSZ-T7A

hissə-hissə: 16331

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
ISL6614ACR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614ACR

hissə-hissə: 1879

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
ISL6594ACBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594ACBZ

hissə-hissə: 8961

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,

İstək siyahısına
HIP4083ABZ
Renesas Electronics America Inc.

HIP4083ABZ

hissə-hissə: 22138

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.5V,

İstək siyahısına
LM2726M/NOPB
Texas Instruments

LM2726M/NOPB

hissə-hissə: 8135

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4V ~ 7V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.25V, 2.4V,

İstək siyahısına
UC2707NG4
Texas Instruments

UC2707NG4

hissə-hissə: 8340

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5V ~ 40V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına
UC3705NG4
Texas Instruments

UC3705NG4

hissə-hissə: 10057

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5V ~ 40V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına
MIC4424CN
Microchip Technology

MIC4424CN

hissə-hissə: 2152

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
TC4468COE
Microchip Technology

TC4468COE

hissə-hissə: 18923

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
MIC4421BM
Microchip Technology

MIC4421BM

hissə-hissə: 2091

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
TC4431EJA
Microchip Technology

TC4431EJA

hissə-hissə: 840

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 30V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
TC4627EOE
Microchip Technology

TC4627EOE

hissə-hissə: 20110

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4V ~ 6V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
IR2130JPBF
Infineon Technologies

IR2130JPBF

hissə-hissə: 6257

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına
IR21834
Infineon Technologies

IR21834

hissə-hissə: 820

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

İstək siyahısına
IRS2334SPBF
Infineon Technologies

IRS2334SPBF

hissə-hissə: 25731

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

İstək siyahısına
IR21364SPBF
Infineon Technologies

IR21364SPBF

hissə-hissə: 21474

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 11.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

İstək siyahısına
IR2133SPBF
Infineon Technologies

IR2133SPBF

hissə-hissə: 11251

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına
IR2183PBF
Infineon Technologies

IR2183PBF

hissə-hissə: 20899

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

İstək siyahısına
IR21362STRPBF
Infineon Technologies

IR21362STRPBF

hissə-hissə: 2610

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 11.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

İstək siyahısına
IR2135JPBF
Infineon Technologies

IR2135JPBF

hissə-hissə: 8029

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına
IRS2453DPBF
Infineon Technologies

IRS2453DPBF

hissə-hissə: 19690

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 15.6V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 4.7V, 9.3V,

İstək siyahısına
IR2105
Infineon Technologies

IR2105

hissə-hissə: 491

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

İstək siyahısına
IR21824
Infineon Technologies

IR21824

hissə-hissə: 666

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,

İstək siyahısına
IR2131JTRPBF
Infineon Technologies

IR2131JTRPBF

hissə-hissə: 13149

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,

İstək siyahısına
IR2010SPBF
Infineon Technologies

IR2010SPBF

hissə-hissə: 23041

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 6V, 9.5V,

İstək siyahısına
IRS23364DSPBF
Infineon Technologies

IRS23364DSPBF

hissə-hissə: 25818

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 11.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

İstək siyahısına
MAX4426CSA+
Maxim Integrated

MAX4426CSA+

hissə-hissə: 26791

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
MAX627ESA+
Maxim Integrated

MAX627ESA+

hissə-hissə: 23362

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
MAX627CPA+
Maxim Integrated

MAX627CPA+

hissə-hissə: 14288

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

İstək siyahısına
LTC1165CS8#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1165CS8#PBF

hissə-hissə: 24825

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 1.8V ~ 6V,

İstək siyahısına
LTC3900HS8#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC3900HS8#PBF

hissə-hissə: 20605

İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 11V,

İstək siyahısına
LTC1163CN8#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1163CN8#PBF

hissə-hissə: 25683

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 1.8V ~ 6V,

İstək siyahısına
LT1161ISW#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LT1161ISW#PBF

hissə-hissə: 9225

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 48V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

İstək siyahısına
LT1161IN#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LT1161IN#PBF

hissə-hissə: 9970

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 48V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

İstək siyahısına
LTC7004EMSE#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC7004EMSE#PBF

hissə-hissə: 17351

İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 60V (Max),

İstək siyahısına
IX6R11S3
IXYS

IX6R11S3

hissə-hissə: 2053

İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 35V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 6V, 9.6V,

İstək siyahısına