Optik Sensorlar - Yansıtıcı - Analog Çıxış

MTRS5900D

hissə-hissə: 12999

Məsafənin algılanması: 1.5mm, Algılama metodu: Reflective, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 30mA, Çıxış növü: Photodiode,

MTRS6140D

hissə-hissə: 15518

Məsafənin algılanması: 1.5mm, Algılama metodu: Reflective, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 30mA, Çıxış növü: Photodiode,

PC50CNP06RP

hissə-hissə: 147

Məsafənin algılanması: 236.2" (6m), Algılama metodu: Reflective,

PC50CNR10RP

hissə-hissə: 122

Məsafənin algılanması: 393.701" (10m), Algılama metodu: Reflective,

OPB70HWZ

hissə-hissə: 21699

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 25mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Transistor,

OPB70AWZ

hissə-hissə: 18874

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 15V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 25mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Darlington,

OPB747WZ

hissə-hissə: 2766

Məsafənin algılanması: 0.300" (7.62mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB732WZ

hissə-hissə: 15744

Məsafənin algılanması: 3" (76.2mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB608C

hissə-hissə: 51641

Məsafənin algılanması: 0.050" (1.27mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 25mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB741W

hissə-hissə: 2720

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB70EWZ

hissə-hissə: 18687

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 25mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Transistor,

OPB742

hissə-hissə: 33637

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB743WZ

hissə-hissə: 20862

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB755NZ

hissə-hissə: 2712

Məsafənin algılanması: 0.220" (5.59mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 24V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB701Z

hissə-hissə: 7740

Məsafənin algılanması: 0.200" (5.08mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 15V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 100mA, Çıxış növü: Photodarlington,

OPR5005

hissə-hissə: 21984

Məsafənin algılanması: 0.050" (1.27mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 25mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB744WZ

hissə-hissə: 18838

Məsafənin algılanması: 0.150" (3.81mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 40mA, Çıxış növü: Phototransistor,

OPB608R

hissə-hissə: 47308

Məsafənin algılanması: 0.050" (1.27mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 25mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

Z4D-A01

hissə-hissə: 4329

Məsafənin algılanması: 0.256" (6.5mm), Algılama metodu: Reflective,

EE-SB5-B

hissə-hissə: 10268

Məsafənin algılanması: 0.197" (5mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

ITR9909

hissə-hissə: 149323

Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

ITR8307/L24/F43

hissə-hissə: 163178

Məsafənin algılanması: 0.039" (1mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

HOA0708-107

hissə-hissə: 15421

Məsafənin algılanması: 0.15" (3.8mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 15V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 40mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

HOA0149-500

hissə-hissə: 2735

Məsafənin algılanması: 0.15" (3.8mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

HOA0149-001

hissə-hissə: 13019

Məsafənin algılanması: 0.200" (5.08mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

CNB10010SL

hissə-hissə: 2753

Məsafənin algılanması: 0.039" (1mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 35V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

CNB2301

hissə-hissə: 2755

Məsafənin algılanması: 0.039" (1mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 30mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Photodarlington,

CNB10010LL

hissə-hissə: 2692

Məsafənin algılanması: 0.039" (1mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 35V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

CNY70

hissə-hissə: 52694

Məsafənin algılanması: 0.197" (5mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 32V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 50mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

QRD1114

hissə-hissə: 39835

Məsafənin algılanması: 0.050" (1.27mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

QRD1313

hissə-hissə: 2740

Məsafənin algılanması: 0.050" (1.27mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 15V, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Photodarlington,

HEDS-1500

hissə-hissə: 2754

Məsafənin algılanması: 0.168" (4.27mm), Algılama metodu: Reflective, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Photodiode,

LTH-1550-01

hissə-hissə: 183477

Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 60mA, Çıxış növü: Phototransistor,

GP2S24BJ000F

hissə-hissə: 2701

Məsafənin algılanması: 0.028" (0.7mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 35V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

GP2S40

hissə-hissə: 2756

Məsafənin algılanması: 0.256" (6.5mm), Algılama metodu: Reflective, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 35V, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 20mA, Cari - DC İrəli (Əgər) (Maks): 50mA, Çıxış növü: Phototransistor,

E2RA-RN11 2M

hissə-hissə: 2681