Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 2

EPC2203

hissə-hissə: 59185

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.7A, Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 5V,

Arzu

EPC

EPC2014C

hissə-hissə: 107624

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 5V,

Arzu

EPC

EPC8002

hissə-hissə: 49093

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 65V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V,

Arzu

EPC

EPC2037

hissə-hissə: 128582

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 100mA, 5V,

Arzu

EPC

EPC2040

hissə-hissə: 113264

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 15V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 1.5A, 5V,

Arzu

EPC

EPC2039

hissə-hissə: 105727

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

Arzu

EPC

EPC2016C

hissə-hissə: 65843

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

Arzu

EPC

EPC2038

hissə-hissə: 148654

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 50mA, 5V,

Arzu

EPC

EPC2036

hissə-hissə: 150786

FET növü: N-Channel, Texnologiya: GaNFET (Gallium Nitride), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 5V,

Arzu