İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 50V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 50V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 50V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 1.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 50V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 50V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 50V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 50V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.4V, 0.7V,