Diodlar - Düzəldicilər - Diziler | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 25

MBR20040CTR

hissə-hissə: 1522

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

hissə-hissə: 943

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 600A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

hissə-hissə: 1136

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 250A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 250A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

hissə-hissə: 809

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

hissə-hissə: 3665

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

hissə-hissə: 1190

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 500A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 250A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

hissə-hissə: 945

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 100A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

hissə-hissə: 3068

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 180V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

hissə-hissə: 3870

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

hissə-hissə: 1240

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 50A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

hissə-hissə: 3284

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

hissə-hissə: 4139

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 80A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 80A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

hissə-hissə: 3894

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 50A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 50A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

hissə-hissə: 1838

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

hissə-hissə: 1368

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

hissə-hissə: 1244

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

hissə-hissə: 1544

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 840mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FST16060

hissə-hissə: 1480

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 160A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 160A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

hissə-hissə: 1000

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 600A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURT30020

hissə-hissə: 1086

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

hissə-hissə: 1907

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Series Connection, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 100A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

hissə-hissə: 1554

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 920mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

hissə-hissə: 956

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 600A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 300A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

hissə-hissə: 1504

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 120A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

hissə-hissə: 1881

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 120A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 60A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

hissə-hissə: 1366

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

hissə-hissə: 1238

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

hissə-hissə: 1182

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 500A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 880mV @ 250A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

hissə-hissə: 1172

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

FST10045

hissə-hissə: 1532

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 100A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

hissə-hissə: 1119

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 400A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 200A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

hissə-hissə: 1203

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

hissə-hissə: 2901

Diod Konfiqurasiyası: 2 Independent, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 60A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.35V @ 60A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

hissə-hissə: 958

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Anode, Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1200V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.6V @ 200A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

hissə-hissə: 1562

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 200A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 100A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

hissə-hissə: 1442

Diod Konfiqurasiyası: 1 Pair Common Cathode, Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) (Diyot başına): 300A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 650mV @ 150A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu