Diyot növü: Single Phase, Texnologiya: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - Peak Reverse (Max): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100µA @ 600V,
Diyot növü: Single Phase, Texnologiya: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 45A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 45A, Cari - Ters Sızma @ Vr: 300µA @ 1200V,
Diyot növü: Single Phase, Texnologiya: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 15A, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100µA @ 1200V,
Diyot növü: Single Phase, Texnologiya: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - Peak Reverse (Max): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 20A, Cari - Ters Sızma @ Vr: 200µA @ 600V,
Diyot növü: Single Phase, Texnologiya: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - Peak Reverse (Max): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 30A, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100µA @ 600V,
Diyot növü: Single Phase, Texnologiya: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - Peak Reverse (Max): 1.2kV, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 30A, Cari - Ters Sızma @ Vr: 200µA @ 1200V,
