Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - FET, MOSFET - Tək
IRF7749L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7749L2TR1PBF

hissə-hissə: 906

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 33A (Ta), 375A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 120A, 10V,

Arzu
IRFHS8342TR2PBF
Infineon Technologies

IRFHS8342TR2PBF

hissə-hissə: 1060

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 19A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

Arzu
IPP90N06S404AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N06S404AKSA1

hissə-hissə: 945

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 90A, 10V,

Arzu
IRF3707ZCSTRRP
Infineon Technologies

IRF3707ZCSTRRP

hissə-hissə: 975

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 59A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,

Arzu
IRF6616TR1PBF
Infineon Technologies

IRF6616TR1PBF

hissə-hissə: 1006

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 19A (Ta), 106A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 19A, 10V,

Arzu
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon Technologies

IPD60R2K0C6BTMA1

hissə-hissə: 1029

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 760mA, 10V,

Arzu
IPB120N06S403ATMA1
Infineon Technologies

IPB120N06S403ATMA1

hissə-hissə: 944

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu
IPI45N06S409AKSA1
Infineon Technologies

IPI45N06S409AKSA1

hissə-hissə: 927

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 45A, 10V,

Arzu
IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R048CFDAFKSA1

hissə-hissə: 4425

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 63.3A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 29.4A, 10V,

Arzu
IPI120N06S402AKSA1
Infineon Technologies

IPI120N06S402AKSA1

hissə-hissə: 48204

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu
IRF7220GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7220GTRPBF

hissə-hissə: 971

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 14V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 4.5V,

Arzu
IRLU8259PBF
Infineon Technologies

IRLU8259PBF

hissə-hissə: 971

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 57A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 21A, 10V,

Arzu
IRFH5303TRPBF
Infineon Technologies

IRFH5303TRPBF

hissə-hissə: 6156

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Ta), 82A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 49A, 10V,

Arzu
IRFR1018ETRRPBF
Infineon Technologies

IRFR1018ETRRPBF

hissə-hissə: 915

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 56A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Arzu
IRF7811WGTRPBF
Infineon Technologies

IRF7811WGTRPBF

hissə-hissə: 980

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 14A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 4.5V,

Arzu
IRFHM9331TR2PBF
Infineon Technologies

IRFHM9331TR2PBF

hissə-hissə: 927

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), 24A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11A, 20V,

Arzu
IPD60R380C6
Infineon Technologies

IPD60R380C6

hissə-hissə: 927

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.8A, 10V,

Arzu
IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies

IRFHM830DTRPBF

hissə-hissə: 1013

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu
IRF9310PBF
Infineon Technologies

IRF9310PBF

hissə-hissə: 39394

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu
IRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5004TR2PBF

hissə-hissə: 6131

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu
IRFH5215TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH5215TR2PBF

hissə-hissə: 1150

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Ta), 27A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 16A, 10V,

Arzu
IRF7759L2TR1PBF
Infineon Technologies

IRF7759L2TR1PBF

hissə-hissə: 883

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 26A (Ta), 375A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 96A, 10V,

Arzu
IRF6728MTRPBF
Infineon Technologies

IRF6728MTRPBF

hissə-hissə: 1011

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Ta), 140A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

Arzu
IPP45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies

IPP45N06S4L08AKSA1

hissə-hissə: 936

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 45A, 10V,

Arzu
IRF6614TR1
Infineon Technologies

IRF6614TR1

hissə-hissə: 988

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 55A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V,

Arzu
IRF1405ZL-7PPBF
Infineon Technologies

IRF1405ZL-7PPBF

hissə-hissə: 978

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Arzu
IRFP3415PBF
Infineon Technologies

IRFP3415PBF

hissə-hissə: 22736

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 43A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 22A, 10V,

Arzu
IPD90N06S4L03ATMA1
Infineon Technologies

IPD90N06S4L03ATMA1

hissə-hissə: 944

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 90A, 10V,

Arzu
IPP90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N06S4L04AKSA1

hissə-hissə: 885

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V,

Arzu
IRFSL4229PBF
Infineon Technologies

IRFSL4229PBF

hissə-hissə: 917

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 26A, 10V,

Arzu
IRFB3607GPBF
Infineon Technologies

IRFB3607GPBF

hissə-hissə: 1058

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Arzu
IRF7700TRPBF
Infineon Technologies

IRF7700TRPBF

hissə-hissə: 1004

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V,

Arzu
IPA60R520E6XKSA1
Infineon Technologies

IPA60R520E6XKSA1

hissə-hissə: 6182

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Arzu
SPD30N03S2L07GBTMA1
Infineon Technologies

SPD30N03S2L07GBTMA1

hissə-hissə: 977

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
IRL8113STRLPBF
Infineon Technologies

IRL8113STRLPBF

hissə-hissə: 958

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 105A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 21A, 10V,

Arzu
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies

IPB180N06S4H1ATMA1

hissə-hissə: 965

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 180A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu