Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

Ev
Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

Infineon Technologies

IPB12CNE8N G

hissə-hissə: 763

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 85V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 67A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPD80N06S3-09

hissə-hissə: 831

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPP147N03L G

hissə-hissə: 630

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFR3709ZTRPBF

hissə-hissə: 164540

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 86A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPD16CNE8N G

hissə-hissə: 789

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 85V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 53A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 53A, 10V,

Arzu

IPI80N03S4L03AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N03S4L03AKSA1

hissə-hissə: 72486

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu

IPI139N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI139N08N3GHKSA1

hissə-hissə: 801

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 45A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRF7703TRPBF

hissə-hissə: 683

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

IPA60R250CPXKSA1

Infineon Technologies

IPA60R250CPXKSA1

hissə-hissə: 39633

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Arzu

IPB50R250CPATMA1

Infineon Technologies

IPB50R250CPATMA1

hissə-hissə: 58237

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 550V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Arzu

IPB065N15N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB065N15N3GATMA1

hissə-hissə: 13275

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 130A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFH5004TRPBF

hissə-hissə: 82938

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu

IPP80N06S209AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S209AKSA1

hissə-hissə: 815

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFH7084TRPBF

hissə-hissə: 71052

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRF7779L2TRPBF

hissə-hissə: 27078

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 375A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPU135N08N3 G

hissə-hissə: 6136

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFB3004GPBF

hissə-hissə: 6094

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 195A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPB26CNE8N G

hissə-hissə: 807

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 85V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPI26CN10N G

hissə-hissə: 804

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFR220NTRPBF

hissə-hissə: 124498

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.9A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRF8721GPBF

hissə-hissə: 904

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 14A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V,

Arzu

IPI030N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI030N10N3GHKSA1

hissə-hissə: 821

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu

IPS090N03LGAKMA1

Infineon Technologies

IPS090N03LGAKMA1

hissə-hissə: 687

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

IPP260N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

IPP260N06N3GXKSA1

hissə-hissə: 807

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 27A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 27A, 10V,

Arzu

IPI60R600CPAKSA1

Infineon Technologies

IPI60R600CPAKSA1

hissə-hissə: 5696

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.3A, 10V,

Arzu

IPB017N10N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB017N10N5ATMA1

hissə-hissə: 18472

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 180A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPP096N03L G

hissə-hissə: 647

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFH8334TRPBF

hissə-hissə: 159705

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 14A (Ta), 44A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu

IPD135N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD135N08N3GBTMA1

hissə-hissə: 820

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 45A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFH5300TRPBF

hissə-hissə: 123896

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu

IPP80N06S2H5AKSA1

Infineon Technologies

IPP80N06S2H5AKSA1

hissə-hissə: 778

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPB16CN10N G

hissə-hissə: 745

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 53A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 53A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPP80N06S2L-07

hissə-hissə: 49543

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 55V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Arzu

IPW90R1K0C3FKSA1

Infineon Technologies

IPW90R1K0C3FKSA1

hissə-hissə: 38771

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 900V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IPI80CN10N G

hissə-hissə: 6157

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 13A, 10V,

Arzu

Infineon Technologies

IRFSL4020PBF

hissə-hissə: 868

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 11A, 10V,

Arzu

3600

«
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
»