İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 15.6V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 4.7V, 9.3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 34V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 6V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 0V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 12V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 15V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 15.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9.5V ~ 15V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 15.6V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V,
