Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və

  • Ev
  •  
  • Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və
8N4QV01FG-1120CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1120CDI

hissə-hissə: 3409

Yazın: VCXO, Tezlik: 166.6667MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1120CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1120CDI8

hissə-hissə: 3864

Yazın: VCXO, Tezlik: 166.6667MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1118CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1118CDI

hissə-hissə: 3427

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1115CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1115CDI

hissə-hissə: 3401

Yazın: VCXO, Tezlik: 175MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1115CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1115CDI8

hissə-hissə: 3871

Yazın: VCXO, Tezlik: 175MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1114CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1114CDI

hissə-hissə: 3498

Yazın: VCXO, Tezlik: 300MHz, 350MHz, 400MHz, 533MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1113CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1113CDI8

hissə-hissə: 3813

Yazın: VCXO, Tezlik: 156.25MHz, 175MHz, 200MHz, 312.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1114CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1114CDI8

hissə-hissə: 3889

Yazın: VCXO, Tezlik: 300MHz, 350MHz, 400MHz, 533MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1111CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1111CDI8

hissə-hissə: 3885

Yazın: VCXO, Tezlik: 500MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1111CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1111CDI

hissə-hissə: 3426

Yazın: VCXO, Tezlik: 500MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1108CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1108CDI8

hissə-hissə: 3840

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1107CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1107CDI

hissə-hissə: 3495

Yazın: VCXO, Tezlik: 187.5MHz, 150MHz, 300MHz, 300MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1108CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1108CDI

hissə-hissə: 3427

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1107CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1107CDI8

hissə-hissə: 3821

Yazın: VCXO, Tezlik: 187.5MHz, 150MHz, 300MHz, 300MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1105CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1105CDI

hissə-hissə: 3450

Yazın: VCXO, Tezlik: 110MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1105CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1105CDI8

hissə-hissə: 3858

Yazın: VCXO, Tezlik: 110MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1104CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1104CDI

hissə-hissə: 3436

Yazın: VCXO, Tezlik: 425MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1104CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1104CDI8

hissə-hissə: 3834

Yazın: VCXO, Tezlik: 425MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1103CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1103CDI8

hissə-hissə: 3803

Yazın: VCXO, Tezlik: 240MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1102CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1102CDI8

hissə-hissə: 3876

Yazın: VCXO, Tezlik: 25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1103CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1103CDI

hissə-hissə: 3452

Yazın: VCXO, Tezlik: 240MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1099CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1099CDI8

hissə-hissə: 3864

Yazın: VCXO, Tezlik: 187.5MHz, 250MHz, 287.5MHz, 312.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1102CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1102CDI

hissə-hissə: 3462

Yazın: VCXO, Tezlik: 25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1098CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1098CDI8

hissə-hissə: 3825

Yazın: VCXO, Tezlik: 130MHz, 100MHz, 80MHz, 25MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1098CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1098CDI

hissə-hissə: 3430

Yazın: VCXO, Tezlik: 130MHz, 100MHz, 80MHz, 25MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1095CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1095CDI8

hissə-hissə: 3860

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 133MHz, 156.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1088CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1088CDI

hissə-hissə: 3432

Yazın: VCXO, Tezlik: 156.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1088CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1088CDI8

hissə-hissə: 3796

Yazın: VCXO, Tezlik: 156.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1095CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1095CDI

hissə-hissə: 3429

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 133MHz, 156.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1086CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1086CDI

hissə-hissə: 3438

Yazın: VCXO, Tezlik: 350MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1086CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1086CDI8

hissə-hissə: 3818

Yazın: VCXO, Tezlik: 350MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1080CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1080CDI8

hissə-hissə: 3858

Yazın: VCXO, Tezlik: 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1078CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1078CDI8

hissə-hissə: 3873

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 200MHz, 300MHz, 400MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1076CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1076CDI8

hissə-hissə: 3846

Yazın: VCXO, Tezlik: 200MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1075CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1075CDI8

hissə-hissə: 3837

Yazın: VCXO, Tezlik: 150MHz, 75MHz, 150MHz, 75MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01FG-1076CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01FG-1076CDI

hissə-hissə: 3478

Yazın: VCXO, Tezlik: 200MHz, Gərginlik - Təchizat: 2.375V ~ 2.625V, Cari - Təchizat: 155mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu