Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və

  • Ev
  •  
  • Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və
8N4QV01EG-1086CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1086CDI8

hissə-hissə: 3802

Yazın: VCXO, Tezlik: 350MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1086CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1086CDI

hissə-hissə: 3415

Yazın: VCXO, Tezlik: 350MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1080CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1080CDI8

hissə-hissə: 3802

Yazın: VCXO, Tezlik: 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1078CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1078CDI8

hissə-hissə: 3832

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 200MHz, 300MHz, 400MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1080CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1080CDI

hissə-hissə: 3485

Yazın: VCXO, Tezlik: 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1078CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1078CDI

hissə-hissə: 3415

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 200MHz, 300MHz, 400MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1076CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1076CDI

hissə-hissə: 3421

Yazın: VCXO, Tezlik: 200MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1075CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1075CDI

hissə-hissə: 3447

Yazın: VCXO, Tezlik: 150MHz, 75MHz, 150MHz, 75MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1075CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1075CDI8

hissə-hissə: 3886

Yazın: VCXO, Tezlik: 150MHz, 75MHz, 150MHz, 75MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1074CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1074CDI8

hissə-hissə: 3879

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 106.25MHz, 100MHz, 106.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1074CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1074CDI

hissə-hissə: 3400

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 106.25MHz, 100MHz, 106.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1073CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1073CDI8

hissə-hissə: 3827

Yazın: VCXO, Tezlik: 312.5MHz, 156.25MHz, 125MHz, 100MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1065CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1065CDI8

hissə-hissə: 3861

Yazın: VCXO, Tezlik: 212.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1069CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1069CDI

hissə-hissə: 3469

Yazın: VCXO, Tezlik: 250MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1069CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1069CDI8

hissə-hissə: 3855

Yazın: VCXO, Tezlik: 250MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1064CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1064CDI8

hissə-hissə: 3882

Yazın: VCXO, Tezlik: 106.25MHz, 100MHz, 106.25MHz, 100MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1065CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1065CDI

hissə-hissə: 3412

Yazın: VCXO, Tezlik: 212.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1064CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1064CDI

hissə-hissə: 3495

Yazın: VCXO, Tezlik: 106.25MHz, 100MHz, 106.25MHz, 100MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-105LCDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-105LCDI8

hissə-hissə: 3841

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 150MHz, 156.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-105LCDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-105LCDI

hissə-hissə: 3399

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 150MHz, 156.25MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1054CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1054CDI8

hissə-hissə: 3850

Yazın: VCXO, Tezlik: 25MHz, 33.33MHz, 50MHz, 62.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1053CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1053CDI8

hissə-hissə: 3863

Yazın: VCXO, Tezlik: 160MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1054CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1054CDI

hissə-hissə: 3463

Yazın: VCXO, Tezlik: 25MHz, 33.33MHz, 50MHz, 62.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1053CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1053CDI

hissə-hissə: 3448

Yazın: VCXO, Tezlik: 160MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1052CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1052CDI

hissə-hissə: 3426

Yazın: VCXO, Tezlik: 425MHz, 212.5MHz, 106.25MHz, 159.375MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1052CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1052CDI8

hissə-hissə: 3849

Yazın: VCXO, Tezlik: 425MHz, 212.5MHz, 106.25MHz, 159.375MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1049CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1049CDI

hissə-hissə: 3434

Yazın: VCXO, Tezlik: 150MHz, 75MHz, 300MHz, 150MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1049CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1049CDI8

hissə-hissə: 3824

Yazın: VCXO, Tezlik: 150MHz, 75MHz, 300MHz, 150MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1046CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1046CDI8

hissə-hissə: 3796

Yazın: VCXO, Tezlik: 200MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1045CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1045CDI8

hissə-hissə: 3835

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 100MHz, 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1045CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1045CDI

hissə-hissə: 3414

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 100MHz, 125MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1043CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1043CDI

hissə-hissə: 3450

Yazın: VCXO, Tezlik: 496MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1037CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1037CDI8

hissə-hissə: 3867

Yazın: VCXO, Tezlik: 500MHz, 125MHz, 250MHz, 1GHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1037CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1037CDI

hissə-hissə: 3443

Yazın: VCXO, Tezlik: 500MHz, 125MHz, 250MHz, 1GHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1036CDI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1036CDI8

hissə-hissə: 3808

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 250MHz, 312.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu
8N4QV01EG-1036CDI
IDT, Integrated Device Technology Inc

8N4QV01EG-1036CDI

hissə-hissə: 3476

Yazın: VCXO, Tezlik: 100MHz, 125MHz, 250MHz, 312.5MHz, Gərginlik - Təchizat: 3.135V ~ 3.465V, Cari - Təchizat: 160mA, Əməliyyat temperaturu: -40°C ~ 85°C,

Arzu