İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 3, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9.5V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 4, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 6.8V ~ 13.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 6.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.4V, 3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 12V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.22V, 2.08V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 4V, 7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 3.7V, 7.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.85V, 3.15V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 15V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10.8V ~ 13.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8V ~ 14V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 3.7V, 7.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 7V ~ 13.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V,
