Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 60

IXFC80N08

hissə-hissə: 835

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

IXYS

IXTC75N10

hissə-hissə: 835

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 72A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 37.5A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFX20N120

hissə-hissə: 3850

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXFX25N90

hissə-hissə: 4031

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 900V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 25A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

VMO1600-02P

hissə-hissə: 864

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1900A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 1600A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFN100N10S2

hissə-hissə: 797

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXTP90N075T2

hissə-hissə: 646

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFV15N100P

hissə-hissə: 627

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1000V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXFK20N120

hissə-hissə: 3998

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 20A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXFX210N17T

hissə-hissə: 842

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 170V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 210A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 60A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFH150N17T

hissə-hissə: 824

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 175V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 150A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu

IXYS

IXTV102N20T

hissə-hissə: 632

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 102A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IRFP470

hissə-hissə: 6155

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 24A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12A, 10V,

Arzu

IXYS

IXUC160N075

hissə-hissə: 673

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 160A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu

IXYS

IXTP102N15T

hissə-hissə: 660

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 102A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXTA54N30T

hissə-hissə: 853

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 300V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 54A (Tc),

Arzu

IXYS

IXFR180N10

hissə-hissə: 3961

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 165A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 90A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFN260N17T

hissə-hissə: 862

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 170V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 245A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 60A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFT74N20

hissə-hissə: 6277

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 74A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXFK180N085

hissə-hissə: 4331

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 85V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 180A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXFC80N085

hissə-hissə: 6096

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 85V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu

IXYS

IXTC102N25T

hissə-hissə: 828

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V,

Arzu

IXYS

IXFT23N80Q

hissə-hissə: 3894

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXTV110N25TS

hissə-hissə: 655

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 110A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFX32N50Q

hissə-hissə: 5303

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 32A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 16A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFR21N100Q

hissə-hissə: 3929

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1000V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFH30N50

hissə-hissə: 6032

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

IXYS

IXKP10N60C5M

hissə-hissə: 6153

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFV12N120PS

hissə-hissə: 616

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXTH150N17T

hissə-hissə: 883

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 175V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 150A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Arzu

IXYS

IXTY12N06T

hissə-hissə: 670

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFC40N30Q

hissə-hissə: 859

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 300V,

Arzu

IXYS

IXFT7N90Q

hissə-hissə: 3812

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 900V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

IXYS

IXTA72N20T

hissə-hissə: 888

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 72A (Tc),

Arzu

IXYS

IXFK90N30

hissə-hissə: 4023

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 300V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 45A, 10V,

Arzu

IXYS

IXFC13N50

hissə-hissə: 863

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6.5A, 10V,

Arzu