Yerləşdirilmiş - FPGA'lar (Sahə Proqramlaşdırı | İnteqrasiya olunmuş sxemlər (IC) | 99

LFE2M70E-7FN1152C

hissə-hissə: 311

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 436, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152C

hissə-hissə: 198

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-6FN900I

hissə-hissə: 310

LAB / CLB sayı: 6250, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 25000, Ümumi RAM Bitləri: 1966080, G / Ç sayı: 378, Gərginlik - Təchizat: 0.95V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-6LFN1156I

hissə-hissə: 306

LAB / CLB sayı: 18625, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 149000, Ümumi RAM Bitləri: 7014400, G / Ç sayı: 586, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152C

hissə-hissə: 219

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN1152I

hissə-hissə: 242

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 436, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900C

hissə-hissə: 340

LAB / CLB sayı: 6250, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 25000, Ümumi RAM Bitləri: 1966080, G / Ç sayı: 378, Gərginlik - Təchizat: 0.95V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-5FN900I

hissə-hissə: 301

LAB / CLB sayı: 6250, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 25000, Ümumi RAM Bitləri: 1966080, G / Ç sayı: 378, Gərginlik - Təchizat: 0.95V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN900C

hissə-hissə: 281

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN1152I

hissə-hissə: 298

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 436, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900I

hissə-hissə: 201

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900C

hissə-hissə: 230

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152I

hissə-hissə: 165

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900I

hissə-hissə: 262

LAB / CLB sayı: 6250, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 25000, Ümumi RAM Bitləri: 1966080, G / Ç sayı: 378, Gərginlik - Təchizat: 0.95V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-7FN900C

hissə-hissə: 300

LAB / CLB sayı: 6250, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 25000, Ümumi RAM Bitləri: 1966080, G / Ç sayı: 378, Gərginlik - Təchizat: 0.95V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-7FN900C

hissə-hissə: 266

LAB / CLB sayı: 6250, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 25000, Ümumi RAM Bitləri: 1966080, G / Ç sayı: 378, Gərginlik - Təchizat: 0.95V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900C

hissə-hissə: 230

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152I

hissə-hissə: 186

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN1152C

hissə-hissə: 278

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 436, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN900C

hissə-hissə: 226

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152C

hissə-hissə: 196

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN900I

hissə-hissə: 265

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152I

hissə-hissə: 219

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN900I

hissə-hissə: 356

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156I

hissə-hissə: 282

LAB / CLB sayı: 18625, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 149000, Ümumi RAM Bitləri: 7014400, G / Ç sayı: 586, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900C

hissə-hissə: 249

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900I

hissə-hissə: 191

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN900I

hissə-hissə: 274

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152I

hissə-hissə: 153

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152C

hissə-hissə: 205

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-7FN900C

hissə-hissə: 242

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7LFN1156I

hissə-hissə: 236

LAB / CLB sayı: 18625, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 149000, Ümumi RAM Bitləri: 7014400, G / Ç sayı: 586, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN900C

hissə-hissə: 311

LAB / CLB sayı: 8375, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 67000, Ümumi RAM Bitləri: 4642816, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156C

hissə-hissə: 364

LAB / CLB sayı: 18625, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 149000, Ümumi RAM Bitləri: 7014400, G / Ç sayı: 586, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900I

hissə-hissə: 172

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 416, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN1152C

hissə-hissə: 136

LAB / CLB sayı: 11875, Məntiq elementləri / hüceyrələrin sayı: 95000, Ümumi RAM Bitləri: 5435392, G / Ç sayı: 520, Gərginlik - Təchizat: 1.14V ~ 1.26V,

Arzu