Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

Ev
Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

VN2460N3-G-P014

Microchip Technology

VN2460N3-G-P014

hissə-hissə: 77581

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Arzu

DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

DN2535N3-G-P003

hissə-hissə: 124618

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 350V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Arzu

Microchip Technology

TP2104K1-G

hissə-hissə: 151643

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

VN0106N3-G-P003

Microchip Technology

VN0106N3-G-P003

hissə-hissə: 134159

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

TN0110N3-G-P002

Microchip Technology

TN0110N3-G-P002

hissə-hissə: 96862

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

VN2222LL-G-P003

Microchip Technology

VN2222LL-G-P003

hissə-hissə: 193763

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

TP0610T-G

hissə-hissə: 134146

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

MCP87130T-U/LC

hissə-hissə: 197723

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 43A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Microchip Technology

VP3203N8-G

hissə-hissə: 62298

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.1A (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.5A, 10V,

Arzu

Microchip Technology

MCP87018T-U/MF

hissə-hissə: 63090

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Arzu

Microchip Technology

MIC94053YC6-TR

hissə-hissə: 128534

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 6V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Arzu

TN0106N3-G-P013

Microchip Technology

TN0106N3-G-P013

hissə-hissə: 112567

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

DN1509K1-G

hissə-hissə: 160789

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 90V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Arzu

Microchip Technology

MIC94030YM4-TR

hissə-hissə: 142413

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 16V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

VN2460N8-G

hissə-hissə: 81138

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Arzu

VN0550N3-G-P013

Microchip Technology

VN0550N3-G-P013

hissə-hissə: 63426

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 50mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

Arzu

VN2222LL-G-P013

Microchip Technology

VN2222LL-G-P013

hissə-hissə: 193747

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

MCP87130T-U/MF

hissə-hissə: 121994

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 43A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu

Microchip Technology

DN3765K4-G

hissə-hissə: 37252

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 300mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 0V,

Arzu

Microchip Technology

VN0606L-G-P003

hissə-hissə: 77502

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 330mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

DN2540N3-G-P003

hissə-hissə: 118644

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 400V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Arzu

Microchip Technology

DN2450N8-G

hissə-hissə: 136754

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

Arzu

Microchip Technology

TP2640LG-G

hissə-hissə: 49827

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 400V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 86mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Arzu

VN3205N3-G-P002

Microchip Technology

VN3205N3-G-P002

hissə-hissə: 69774

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.2A (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu

TP2104N3-G-P003

Microchip Technology

TP2104N3-G-P003

hissə-hissə: 139528

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

DN3525N8-G

hissə-hissə: 138382

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 360mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Arzu

Microchip Technology

VN2410L-G-P013

hissə-hissə: 96918

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 240V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 190mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

TN2510N8-G

hissə-hissə: 91780

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 730mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

TN2501N8-G

hissə-hissə: 81098

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 18V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 400mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.2V, 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 200mA, 3V,

Arzu

Microchip Technology

MIC94050YM4-TR

hissə-hissə: 157804

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 6V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Arzu

Microchip Technology

VN10KN3-G-P002

hissə-hissə: 174354

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

LP0701LG-G

hissə-hissə: 51372

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 16.5V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 700mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

Arzu

TN0104N3-G-P003

Microchip Technology

TN0104N3-G-P003

hissə-hissə: 96865

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

Microchip Technology

VN10KN3-G-P013

hissə-hissə: 174393

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

TN2435N8-G

hissə-hissə: 74270

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 350V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 365mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 750mA, 10V,

Arzu

Microchip Technology

DN3145N8-G

hissə-hissə: 136772

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 450V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Tj), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 100mA, 0V,

Arzu

185

«
1
2
3
4
5
6
»