İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 13.2V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.607V, 1.615V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 13V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 28V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.65V, 1.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 16V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 13.2V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.607V, 1.615V,
