Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - FET, MOSFET - Tək
FDMA507PZ
ON Semiconductor

FDMA507PZ

hissə-hissə: 134008

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 5V,

Arzu
PCP1403-TD-H
ON Semiconductor

PCP1403-TD-H

hissə-hissə: 163577

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 2A, 10V,

Arzu
NTMFS4C027NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C027NT1G

hissə-hissə: 180980

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 18A, 10V,

Arzu
FDB060AN08A0
ON Semiconductor

FDB060AN08A0

hissə-hissə: 38619

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 75V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Ta), 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu
FDN304P
ON Semiconductor

FDN304P

hissə-hissə: 114921

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Arzu
FDMC7582
ON Semiconductor

FDMC7582

hissə-hissə: 148649

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16.7A (Ta), 49A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 16.7A, 10V,

Arzu
NTMFS4C10NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C10NBT1G

hissə-hissə: 134535

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 46A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FDB86366-F085
ON Semiconductor

FDB86366-F085

hissə-hissə: 102

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 80V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 110A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu
NTMFS4H02NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H02NFT3G

hissə-hissə: 35952

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 37A (Ta), 193A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTMFS4C028NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C028NT3G

hissə-hissə: 151229

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FDMS8050
ON Semiconductor

FDMS8050

hissə-hissə: 47050

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 55A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65 mOhm @ 55A, 10V,

Arzu
FDI150N10
ON Semiconductor

FDI150N10

hissə-hissə: 63618

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 57A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 49A, 10V,

Arzu
NTMFS4C022NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C022NT3G

hissə-hissə: 196299

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Ta), 136A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FDP2D3N10C
ON Semiconductor

FDP2D3N10C

hissə-hissə: 193

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 222A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu
FDB9403-F085
ON Semiconductor

FDB9403-F085

hissə-hissə: 147

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 110A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu
FDD2670
ON Semiconductor

FDD2670

hissə-hissə: 73724

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.6A, 10V,

Arzu
NTMFS10N7D2C
ON Semiconductor

NTMFS10N7D2C

hissə-hissə: 184

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 78A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 28A, 10V,

Arzu
NTMS5P02R2G
ON Semiconductor

NTMS5P02R2G

hissə-hissə: 116382

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.95A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Arzu
FDMC86260ET150
ON Semiconductor

FDMC86260ET150

hissə-hissə: 65322

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), 25A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.4A, 10V,

Arzu
FDMT80040DC
ON Semiconductor

FDMT80040DC

hissə-hissə: 28635

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 420A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56 mOhm @ 64A, 10V,

Arzu
MCH3486-TL-W
ON Semiconductor

MCH3486-TL-W

hissə-hissə: 195800

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1A, 10V,

Arzu
FDD770N15A
ON Semiconductor

FDD770N15A

hissə-hissə: 159091

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 150V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 12A, 10V,

Arzu
FDD86569-F085
ON Semiconductor

FDD86569-F085

hissə-hissə: 197

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 90A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu
NTMFS5C612NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C612NLT1G

hissə-hissə: 47447

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 36A (Ta), 235A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 50A, 10V,

Arzu
FDD4243
ON Semiconductor

FDD4243

hissə-hissə: 193996

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.7A (Ta), 14A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

Arzu
NTMFS4C08NAT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C08NAT1G

hissə-hissə: 193933

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

Arzu
FDD24AN06LA0-F085
ON Semiconductor

FDD24AN06LA0-F085

hissə-hissə: 183

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu
FDMC7664
ON Semiconductor

FDMC7664

hissə-hissə: 137917

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 18.8A (Ta), 24A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18.8A, 10V,

Arzu
NTMFS5C460NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5C460NLT1G

hissə-hissə: 158556

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 35A, 10V,

Arzu
NDS9407
ON Semiconductor

NDS9407

hissə-hissə: 167085

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu
FDP4D5N10C
ON Semiconductor

FDP4D5N10C

hissə-hissə: 200

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 128A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 100A, 10V,

Arzu
FDMC8296
ON Semiconductor

FDMC8296

hissə-hissə: 103466

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Ta), 18A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V,

Arzu
FDC5614P
ON Semiconductor

FDC5614P

hissə-hissə: 123066

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu
NTGS3130NT1G
ON Semiconductor

NTGS3130NT1G

hissə-hissə: 174628

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.23A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Arzu
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor

NTMFS4C09NBT1G

hissə-hissə: 133550

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V,

Arzu
NTMFS4C05NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4C05NT3G

hissə-hissə: 115799

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11.9A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu