Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

5HN01C-TB-EX

hissə-hissə: 2210

5HP01M-TL-H

hissə-hissə: 110639

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

hissə-hissə: 114622

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

hissə-hissə: 1973

5HP01SS-TL-E

hissə-hissə: 142336

5HP01SS-TL-H

hissə-hissə: 108914

5HP01C-TB-H

hissə-hissə: 157648

5HP01M-TL-E

hissə-hissə: 1963

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

hissə-hissə: 1979

5HP01C-TB-E

hissə-hissə: 6246

5HN01SS-TL-H

hissə-hissə: 146833

5HN01SS-TL-E

hissə-hissə: 154338

5HN01M-TL-E

hissə-hissə: 1932

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

hissə-hissə: 102036

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01C-TB-H

hissə-hissə: 147399

5HN01C-TB-E

hissə-hissə: 176441

5LN01SP-AC

hissə-hissə: 6260

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

hissə-hissə: 128226

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

hissə-hissə: 1826

5LP01SP

hissə-hissə: 1894

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

hissə-hissə: 6268

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

hissə-hissə: 1839

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

hissə-hissə: 1842

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

hissə-hissə: 6223

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

hissə-hissə: 1441

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

hissə-hissə: 1507

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

hissə-hissə: 174960

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

hissə-hissə: 128915

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

hissə-hissə: 1448

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

hissə-hissə: 6222

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

hissə-hissə: 1469

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

hissə-hissə: 109264

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

hissə-hissə: 185339

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

hissə-hissə: 646

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

hissə-hissə: 9476

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

hissə-hissə: 133677

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 370mA (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,