Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - FET, MOSFET - Tək
NTD5807NT4G
ON Semiconductor

NTD5807NT4G

hissə-hissə: 6157

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Arzu
FQP11N50CF
ON Semiconductor

FQP11N50CF

hissə-hissə: 636

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 5.5A, 10V,

Arzu
IRFR210BTM_FP001
ON Semiconductor

IRFR210BTM_FP001

hissə-hissə: 701

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.35A, 10V,

Arzu
NTMFS4744NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4744NT1G

hissə-hissə: 820

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTMS4107NR2G
ON Semiconductor

NTMS4107NR2G

hissə-hissə: 881

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu
FDH633605
ON Semiconductor

FDH633605

hissə-hissə: 666

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide),

Arzu
NTD4865N-35G
ON Semiconductor

NTD4865N-35G

hissə-hissə: 641

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 44A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FQPF9N50CYDTU
ON Semiconductor

FQPF9N50CYDTU

hissə-hissə: 667

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

Arzu
NDS331N_D87Z
ON Semiconductor

NDS331N_D87Z

hissə-hissə: 660

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Arzu
FDC640P_F095
ON Semiconductor

FDC640P_F095

hissə-hissə: 572

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Arzu
NTLJD3182FZTBG
ON Semiconductor

NTLJD3182FZTBG

hissə-hissə: 694

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

Arzu
NTB52N10T4G
ON Semiconductor

NTB52N10T4G

hissə-hissə: 644

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 52A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 26A, 10V,

Arzu
SFP9540
ON Semiconductor

SFP9540

hissə-hissə: 765

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 8.5A, 10V,

Arzu
IRFR220BTM_FP001
ON Semiconductor

IRFR220BTM_FP001

hissə-hissə: 693

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Arzu
NTMS5P02R2SG
ON Semiconductor

NTMS5P02R2SG

hissə-hissə: 885

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.95A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Arzu
IRFU220BTU_FP001
ON Semiconductor

IRFU220BTU_FP001

hissə-hissə: 698

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Arzu
FDD45AN06LA0_F085
ON Semiconductor

FDD45AN06LA0_F085

hissə-hissə: 643

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), 25A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V,

Arzu
FQB22P10TM-F085
ON Semiconductor

FQB22P10TM-F085

hissə-hissə: 716

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 22A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V,

Arzu
FDC5614P_D87Z
ON Semiconductor

FDC5614P_D87Z

hissə-hissə: 715

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3A, 10V,

Arzu
SFU9220TU_F080
ON Semiconductor

SFU9220TU_F080

hissə-hissə: 785

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

Arzu
FQPF11N40T
ON Semiconductor

FQPF11N40T

hissə-hissə: 607

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 400V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 3.3A, 10V,

Arzu
FQU7P20TU_AM002
ON Semiconductor

FQU7P20TU_AM002

hissə-hissə: 665

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.85A, 10V,

Arzu
FQU10N20TU_AM002
ON Semiconductor

FQU10N20TU_AM002

hissə-hissə: 713

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V,

Arzu
FDJ129P_F077
ON Semiconductor

FDJ129P_F077

hissə-hissə: 627

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Arzu
FDT458P
ON Semiconductor

FDT458P

hissə-hissə: 196658

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V,

Arzu
NTMFS4851NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4851NT3G

hissə-hissə: 599

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 66A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
SFR9024TM
ON Semiconductor

SFR9024TM

hissə-hissə: 780

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 3.9A, 10V,

Arzu
FDC697P
ON Semiconductor

FDC697P

hissə-hissə: 569

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 4.5V,

Arzu
SFR9014TF
ON Semiconductor

SFR9014TF

hissə-hissə: 6073

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.7A, 10V,

Arzu
IRFU214BTU_FP001
ON Semiconductor

IRFU214BTU_FP001

hissə-hissə: 722

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 250V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.1A, 10V,

Arzu
FDS9412A
ON Semiconductor

FDS9412A

hissə-hissə: 601

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V,

Arzu
NTD60N02RT4G
ON Semiconductor

NTD60N02RT4G

hissə-hissə: 862

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu
NTB18N06LT4G
ON Semiconductor

NTB18N06LT4G

hissə-hissə: 630

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 5V,

Arzu
NTD4815NHT4G
ON Semiconductor

NTD4815NHT4G

hissə-hissə: 853

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FQD3N50CTM
ON Semiconductor

FQD3N50CTM

hissə-hissə: 659

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

Arzu
FCD4N60TM_WS
ON Semiconductor

FCD4N60TM_WS

hissə-hissə: 612

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 10V,

Arzu