Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - FET, MOSFET - Tək

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - FET, MOSFET - Tək
NTMFS4834NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4834NT3G

hissə-hissə: 6124

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 13A (Ta), 130A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FDMS8662
ON Semiconductor

FDMS8662

hissə-hissə: 497

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 28A (Ta), 49A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 28A, 10V,

Arzu
HUFA76609D3ST
ON Semiconductor

HUFA76609D3ST

hissə-hissə: 6066

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10A, 10V,

Arzu
FDFMA2P857
ON Semiconductor

FDFMA2P857

hissə-hissə: 395

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V,

Arzu
NTD4813NH-1G
ON Semiconductor

NTD4813NH-1G

hissə-hissə: 502

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTMFS4701NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT1G

hissə-hissə: 298

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu
NTD80N02
ON Semiconductor

NTD80N02

hissə-hissə: 380

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 24V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu
NTD4813N-1G
ON Semiconductor

NTD4813N-1G

hissə-hissə: 467

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTR1P02T3G
ON Semiconductor

NTR1P02T3G

hissə-hissə: 389

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Arzu
IRLS640A
ON Semiconductor

IRLS640A

hissə-hissə: 39202

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 4.9A, 5V,

Arzu
NTD4810N-35G
ON Semiconductor

NTD4810N-35G

hissə-hissə: 363

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Ta), 54A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FDI8442
ON Semiconductor

FDI8442

hissə-hissə: 485

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Ta), 80A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 80A, 10V,

Arzu
NTD4302G
ON Semiconductor

NTD4302G

hissə-hissə: 317

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu
NTD4804NA-1G
ON Semiconductor

NTD4804NA-1G

hissə-hissə: 489

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTD60N02R
ON Semiconductor

NTD60N02R

hissə-hissə: 337

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Arzu
FDMS8670AS
ON Semiconductor

FDMS8670AS

hissə-hissə: 484

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Ta), 42A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 23A, 10V,

Arzu
FDZ4670S
ON Semiconductor

FDZ4670S

hissə-hissə: 492

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 25A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Arzu
NTD3808N-1G
ON Semiconductor

NTD3808N-1G

hissə-hissə: 577

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 16V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu
NTP75N03-6G
ON Semiconductor

NTP75N03-6G

hissə-hissə: 369

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 75A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Arzu
NTMFS4744NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4744NT3G

hissə-hissə: 505

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTD50N03RT4G
ON Semiconductor

NTD50N03RT4G

hissə-hissə: 358

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Arzu
FDZ7296
ON Semiconductor

FDZ7296

hissə-hissə: 385

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 11A, 10V,

Arzu
NTD32N06LG
ON Semiconductor

NTD32N06LG

hissə-hissə: 291

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 60V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 32A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

Arzu
NTD5406NT4G
ON Semiconductor

NTD5406NT4G

hissə-hissə: 357

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12.2A (Ta), 70A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
NTLGF3402PT1G
ON Semiconductor

NTLGF3402PT1G

hissə-hissə: 389

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

Arzu
FDD6N20TF
ON Semiconductor

FDD6N20TF

hissə-hissə: 340

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

Arzu
FDFC2P100
ON Semiconductor

FDFC2P100

hissə-hissə: 330

FET növü: P-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 20V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 4.5V,

Arzu
NTB5404NT4G
ON Semiconductor

NTB5404NT4G

hissə-hissə: 482

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 40V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 167A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu
NTD6600N-001
ON Semiconductor

NTD6600N-001

hissə-hissə: 300

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Arzu
NTR4503NT3
ON Semiconductor

NTR4503NT3

hissə-hissə: 333

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Arzu
NTD3813N-1G
ON Semiconductor

NTD3813N-1G

hissə-hissə: 541

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 16V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu
NTD78N03T4
ON Semiconductor

NTD78N03T4

hissə-hissə: 351

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Arzu
NTD6600NT4G
ON Semiconductor

NTD6600NT4G

hissə-hissə: 6049

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Arzu
FQB9N50CFTM
ON Semiconductor

FQB9N50CFTM

hissə-hissə: 338

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 500V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

Arzu
NTD65N03RG
ON Semiconductor

NTD65N03RG

hissə-hissə: 355

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 25V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu
FDP8878
ON Semiconductor

FDP8878

hissə-hissə: 572

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 30V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 40A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 40A, 10V,

Arzu