Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler, Önc&

  • Ev
  •  
  • Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler, Önc&
NSBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T1G

hissə-hissə: 163781

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5237DW1T1
ON Semiconductor

MUN5237DW1T1

hissə-hissə: 1518

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5335DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5335DW1T2G

hissə-hissə: 164842

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSVB114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB114YPDXV6T1G

hissə-hissə: 116749

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
SMUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5115DW1T1G

hissə-hissə: 128974

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124XPDXV6T1G

hissə-hissə: 1461

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSVBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114EPDXV6T1G

hissə-hissə: 131643

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5312DW1T1
ON Semiconductor

MUN5312DW1T1

hissə-hissə: 1526

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5236DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1G

hissə-hissə: 90859

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5112DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5112DW1T1G

hissə-hissə: 58075

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123TDP6T5G

hissə-hissə: 120018

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1003DXV5T1G

hissə-hissə: 1527

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Arzu
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T5G

hissə-hissə: 1485

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114EPDXV6T1G

hissə-hissə: 138112

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5114DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5114DW1T1G

hissə-hissə: 128956

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
UMA4NT1
ON Semiconductor

UMA4NT1

hissə-hissə: 1408

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBA143ZDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T1

hissə-hissə: 1412

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
SMUN5312DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5312DW1T1G

hissə-hissə: 126786

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5333DW1T1G

hissə-hissə: 124275

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5114DW1T1
ON Semiconductor

MUN5114DW1T1

hissə-hissə: 1502

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T1

hissə-hissə: 1414

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC124EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1

hissə-hissə: 1455

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBA143TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA143TDXV6T1

hissə-hissə: 1435

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC143TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143TDXV6T1

hissə-hissə: 1400

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSVMUN531335DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T1G

hissə-hissə: 161762

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5212DW1T1G

hissə-hissə: 111873

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1G

hissə-hissə: 116194

Transistor növü: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1G

hissə-hissə: 191549

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBA143ZDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143ZDXV6T1G

hissə-hissə: 13232

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5G

hissə-hissə: 1414

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
SMUN5335DW1T2G
ON Semiconductor

SMUN5335DW1T2G

hissə-hissə: 183726

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1G

hissə-hissə: 132657

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Arzu
MUN5116DW1T1
ON Semiconductor

MUN5116DW1T1

hissə-hissə: 3233

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC3NT1G

hissə-hissə: 183136

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBA144EDXV6T5
ON Semiconductor

NSBA144EDXV6T5

hissə-hissə: 1491

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Arzu
NSBC115TPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC115TPDP6T5G

hissə-hissə: 193516

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 100 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Arzu