İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 8.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 22V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Synchronous, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 20V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 5.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, Gərginlik - Təchizat: 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.75V, 4.3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side or Low-Side, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 12V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: 3-Phase, Sürücü sayı: 6, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 9V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 6.1V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.2V, 1.8V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 13.2V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Independent, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel, P-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 15V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 1.2V, 2.9V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: High-Side, Kanal növü: Single, Sürücü sayı: 1, Qapı növü: IGBT, N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 10V ~ 20V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Low-Side, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 18V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
İdarə edilən Konfiqurasiya: Half-Bridge, Kanal növü: Synchronous, Sürücü sayı: 2, Qapı növü: N-Channel MOSFET, Gərginlik - Təchizat: 4.6V ~ 13.2V, Məntiq Gərginliyi - VIL, VIH: 0.8V, 2V,