hissə-hissə: 641
FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Ta), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 7.5A, 10V,