Transistorlar - FET, MOSFET - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 62

BUZ10

hissə-hissə: 8665

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 50V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 23A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 14A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP16N65M2

hissə-hissə: 25811

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 11A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU7NM60N

hissə-hissə: 33066

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STFW6N120K3

hissə-hissə: 13790

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 6A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP43N60DM2

hissə-hissə: 12154

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 34A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 17A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU2N62K3

hissə-hissə: 50169

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 620V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP4N90K5

hissə-hissə: 40973

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 900V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU4N62K3

hissə-hissə: 47899

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 620V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 3.8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STE140NF20D

hissə-hissə: 1829

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 140A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 70A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STWA40N95K5

hissə-hissə: 4970

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 950V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 38A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 19A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP7NK80ZFP

hissə-hissə: 27697

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STI24NM60N

hissə-hissə: 15374

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 17A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 8A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF33N60M2

hissə-hissə: 12612

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 26A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 13A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU16N65M5

hissə-hissə: 15271

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP16N60M2

hissə-hissə: 25450

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STW28N60M2

hissə-hissə: 13621

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 24A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 12A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP17NK40Z

hissə-hissə: 19734

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 400V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STW43NM60ND

hissə-hissə: 5807

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 35A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 17.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF100N10F7

hissə-hissə: 28606

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 45A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 22.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP35N60DM2

hissə-hissə: 13633

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 28A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF24N65M2

hissə-hissə: 21555

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 16A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 8A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP7NK80Z

hissə-hissə: 25667

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 800V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 5.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP18N65M2

hissə-hissə: 31461

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 12A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF130N10F3

hissə-hissə: 18542

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 100V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 46A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 23A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF38N65M5

hissə-hissə: 8395

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 30A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP9NK60Z

hissə-hissə: 28630

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP7N95K3

hissə-hissə: 13801

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 950V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 3.6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STU2N95K5

hissə-hissə: 46402

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 950V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STW77N65M5

hissə-hissə: 3246

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 69A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 34.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP31N65M5

hissə-hissə: 10898

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 650V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 22A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148 mOhm @ 11A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP19NF20

hissə-hissə: 79519

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 200V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 15A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STF7N95K3

hissə-hissə: 19187

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 950V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 7.2A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 3.6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP62NS04Z

hissə-hissə: 100406

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 33V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 62A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP9NK90Z

hissə-hissə: 45244

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 900V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 8A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3.6A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STFU10NK60Z

hissə-hissə: 193

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 600V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 10A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V,

Arzu

STMicroelectronics

STP12NK30Z

hissə-hissə: 34135

FET növü: N-Channel, Texnologiya: MOSFET (Metal Oxide), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 300V, Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 9A (Tc), Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Arzu