Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Zener - Subay

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Zener - Subay
BZT52C33K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33K RKG

hissə-hissə: 223

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 25V,

Arzu
BZT52C10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10-G RHG

hissə-hissə: 182

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 20 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 200nA @ 7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C2V4 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4 RHG

hissə-hissə: 211

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 100 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52B47 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47 RHG

hissə-hissə: 223

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 170 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45nA @ 33V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C20K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20K RKG

hissə-hissə: 233

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 55 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 15V,

Arzu
BZT52B3V0 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V0 RHG

hissə-hissə: 245

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 3V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 100 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 9µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C9V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1K RKG

hissə-hissə: 226

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 15 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 6V,

Arzu
BZT52C6V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2K RKG

hissə-hissə: 174

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 10 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 3V,

Arzu
BZT52C3V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6-G RHG

hissə-hissə: 238

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 90 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39-G RHG

hissə-hissə: 205

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 410mW, Empedans (Maks) (Zzt): 130 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 27.3V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30S RRG

hissə-hissə: 247

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45nA @ 21V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4-G RHG

hissə-hissə: 222

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 100 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 50µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C18K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18K RKG

hissə-hissə: 208

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 13V,

Arzu
BZT52C22-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22-G RHG

hissə-hissə: 241

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 22V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 55 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 15.4V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11-G RHG

hissə-hissə: 200

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 410mW, Empedans (Maks) (Zzt): 20 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C3V3-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3-G RHG

hissə-hissə: 248

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 95 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 5µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZX84C22 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C22 RFG

hissə-hissə: 251

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 22V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 300mW, Empedans (Maks) (Zzt): 55 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 15.4V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G RHG

hissə-hissə: 214

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 410mW, Empedans (Maks) (Zzt): 100 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 50µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8 RHG

hissə-hissə: 204

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 500mW, Empedans (Maks) (Zzt): 15 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1.8µA @ 4V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C62K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62K RKG

hissə-hissə: 180

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 62V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 215 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 200nA @ 47V,

Arzu
BZX84C2V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C2V7 RFG

hissə-hissə: 209

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 300mW, Empedans (Maks) (Zzt): 100 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 20µA @ 1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B18S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B18S RRG

hissə-hissə: 253

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 45 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45nA @ 12.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C8V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2K RKG

hissə-hissə: 195

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 15 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 5V,

Arzu
BZT52C24K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24K RKG

hissə-hissə: 250

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 70 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 19V,

Arzu
BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7S RRG

hissə-hissə: 234

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 2.7µA @ 2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C6V8K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8K RKG

hissə-hissə: 241

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 15 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 500nA @ 3.5V,

Arzu
BZT52B33-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33-G RHG

hissə-hissə: 216

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 410mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 23.1V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39-G RHG

hissə-hissə: 235

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 130 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 27.3V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20-G RHG

hissə-hissə: 249

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 410mW, Empedans (Maks) (Zzt): 55 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 14V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZX84C4V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C4V7 RFG

hissə-hissə: 263

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 300mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 3µA @ 2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39S RRG

hissə-hissə: 198

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 130 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45nA @ 27.3V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52C13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13-G RHG

hissə-hissə: 171

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 13V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20-G RHG

hissə-hissə: 233

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 55 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 100nA @ 14V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52C5V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6-G RHG

hissə-hissə: 186

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Dözümlülük: ±5%, Güc - Maks: 350mW, Empedans (Maks) (Zzt): 40 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 1µA @ 2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 10mA,

Arzu
BZT52B15S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15S RRG

hissə-hissə: 255

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45nA @ 10.5V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu
BZT52B33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33S RRG

hissə-hissə: 220

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±2%, Güc - Maks: 200mW, Empedans (Maks) (Zzt): 80 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 45nA @ 23V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 10mA,

Arzu