Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
HS5B V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS5B V6G

hissə-hissə: 101

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
S3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3B V7G

hissə-hissə: 91

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
TSOD1F4HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSOD1F4HM RVG

hissə-hissə: 80

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SK33B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK33B M4G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
HS1F M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS1F M2G

hissə-hissə: 48

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SK12B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK12B M4G

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS210HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210HM4G

hissə-hissə: 50

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RS2KAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KAHM2G

hissə-hissə: 58

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
RS1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GHR3G

hissə-hissə: 53

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
S2MHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2MHM4G

hissə-hissə: 110

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
MUR140S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR140S M4G

hissə-hissə: 84

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SK39B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK39B M4G

hissə-hissə: 105

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RS1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KHR3G

hissə-hissə: 129

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
SK32BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK32BHR5G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SK810C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK810C V6G

hissə-hissə: 96

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S10MC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S10MC V7G

hissə-hissə: 112

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 10A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S5M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S5M V6G

hissə-hissə: 132

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
SK19B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19B M4G

hissə-hissə: 61

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S3GB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3GB M4G

hissə-hissə: 82

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
SS315 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS315 V6G

hissə-hissə: 47

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
ESH2C R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2C R5G

hissə-hissə: 113

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 900mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 20ns,

Arzu
RS1MHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1MHM2G

hissə-hissə: 59

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
S2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2GA M2G

hissə-hissə: 102

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
SK55BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK55BHR5G

hissə-hissə: 62

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S1DLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLSHRQG

hissə-hissə: 76

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RS2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GA M2G

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SS115HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS115HM2G

hissə-hissə: 55

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2BA M2G

hissə-hissə: 102

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1.5A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
SS19HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS19HR3G

hissə-hissə: 61

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 90V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 800mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
US1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1J M2G

hissə-hissə: 54

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 75ns,

Arzu
S3GBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3GBHM4G

hissə-hissə: 128

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 3A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
HS3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS3B V7G

hissə-hissə: 121

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 50ns,

Arzu
SK53BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK53BHM4G

hissə-hissə: 56

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
RS3K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3K V6G

hissə-hissə: 123

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
S2AHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2AHR5G

hissə-hissə: 143

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.15V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5µs,

Arzu
SK22AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK22AHM2G

hissə-hissə: 103

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu