Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSS43U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

hissə-hissə: 172

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 15mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
TSS54U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

hissə-hissə: 145

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
S15JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

hissə-hissə: 165

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSN520M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

hissə-hissə: 204

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSP15H200S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 890mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

hissə-hissə: 181

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSN525M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 25A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 630mV @ 25A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSS0230U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
S15KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

hissə-hissə: 221

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
S15GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

hissə-hissə: 158

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSS40U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

hissə-hissə: 193

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 40mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 5ns,

Arzu
S15MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

hissə-hissə: 137

Diyot növü: Standard, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 15A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

hissə-hissə: 218

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

hissə-hissə: 146

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 540mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
ES3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.45V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

hissə-hissə: 168

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

hissə-hissə: 140

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
MUR315S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 150V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
TSS83L45 MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

hissə-hissə: 201

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 560mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

hissə-hissə: 170

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSN520M60 S3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 20A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 20A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

hissə-hissə: 174

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSS0340U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 30mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 1mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
TSS0230LU RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

hissə-hissə: 167

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 35V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

hissə-hissə: 127

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 25ns,

Arzu
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

hissə-hissə: 196

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 8A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.3V @ 8A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 30ns,

Arzu
TSP15U120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

hissə-hissə: 122

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 120V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 15A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 750mV @ 15A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

hissə-hissə: 185

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

hissə-hissə: 164

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 45V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 480mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

hissə-hissə: 195

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

hissə-hissə: 136

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 12A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 20ns,

Arzu
RSFALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

hissə-hissə: 184

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 50V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 150ns,

Arzu
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

hissə-hissə: 209

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 850mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
SS22LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu