Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay

Ev
Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-16W RFG

hissə-hissə: 264

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546C B1G

hissə-hissə: 210

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-40 A1G

hissə-hissə: 218

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO),

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-16 RFG

hissə-hissə: 171

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847C RFG

hissə-hissə: 230

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-16 RFG

hissə-hissə: 256

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 200nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC849BW RFG

hissə-hissə: 183

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-25W RFG

hissə-hissə: 259

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848CW RFG

hissə-hissə: 243

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-16 A1G

hissə-hissə: 192

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548C B1G

hissə-hissə: 263

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC849CW RFG

hissə-hissə: 197

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-40 RFG

hissə-hissə: 233

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550B B1G

hissə-hissə: 174

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-25 RFG

hissə-hissə: 254

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549B B1G

hissə-hissə: 215

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550C B1G

hissə-hissə: 256

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC856B RFG

hissə-hissə: 263

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547A A1G

hissə-hissə: 201

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-16W RFG

hissə-hissə: 206

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-25 A1G

hissə-hissə: 190

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-40 RFG

hissə-hissə: 215

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 200nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546B A1G

hissə-hissə: 229

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550C A1G

hissə-hissə: 202

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-40W RFG

hissə-hissə: 256

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC856A RFG

hissə-hissə: 223

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-25 B1G

hissə-hissə: 228

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547C B1G

hissə-hissə: 255

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546A A1G

hissə-hissə: 200

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549C B1G

hissə-hissə: 254

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-40 B1G

hissə-hissə: 202

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847A RFG

hissə-hissə: 244

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846CW RFG

hissə-hissə: 219

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 65V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-40 B1G

hissə-hissə: 262

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 45V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848B RFG

hissə-hissə: 254

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548B A1G

hissə-hissə: 242

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 15nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Arzu

134

«
1
2
3
4
»