Məntiq növü: AND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 6V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: AND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 2, Girişlərin sayı: 4, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 6V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: XNOR (Exclusive NOR), Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: AND Gate, Dövrlərin sayı: 1, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 0.8V ~ 2.7V, Cari - Sakit (Maks): 10µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 6, Girişlərin sayı: 6, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: XOR (Exclusive OR), Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 1.65V ~ 3.6V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: OR Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 1.65V ~ 3.6V, Cari - Sakit (Maks): 10µA,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Xüsusiyyətləri: Schmitt Trigger, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: AND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: NOR Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 6, Girişlərin sayı: 6, Xüsusiyyətləri: Schmitt Trigger, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: XOR (Exclusive OR), Dövrlərin sayı: 1, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 1.6V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 10µA,
Məntiq növü: XOR (Exclusive OR), Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Xüsusiyyətləri: Schmitt Trigger, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 20µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 6, Girişlərin sayı: 6, Xüsusiyyətləri: Open Drain, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 20µA,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 1, Girişlərin sayı: 8, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 6, Girişlərin sayı: 6, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 6, Girişlərin sayı: 6, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 6V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: AND Gate, Dövrlərin sayı: 3, Girişlərin sayı: 3, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: OR Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: OR Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: NOR Gate, Dövrlərin sayı: 3, Girişlərin sayı: 3, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 3V ~ 18V, Cari - Sakit (Maks): 4µA,
Məntiq növü: OR Gate, Dövrlərin sayı: 1, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 1, Girişlərin sayı: 1, Xüsusiyyətləri: Open Drain, Gərginlik - Təchizat: 0.8V ~ 3.6V, Cari - Sakit (Maks): 500nA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 6, Girişlərin sayı: 6, Xüsusiyyətləri: Schmitt Trigger, Gərginlik - Təchizat: 2V ~ 6V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: NAND Gate, Dövrlərin sayı: 2, Girişlərin sayı: 4, Gərginlik - Təchizat: 4.5V ~ 5.5V, Cari - Sakit (Maks): 2µA,
Məntiq növü: NOR Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 1.65V ~ 3.6V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
Məntiq növü: Inverter, Dövrlərin sayı: 1, Girişlərin sayı: 1, Gərginlik - Təchizat: 0.8V ~ 3.6V, Cari - Sakit (Maks): 500nA,
Məntiq növü: AND Gate, Dövrlərin sayı: 4, Girişlərin sayı: 2, Gərginlik - Təchizat: 1.65V ~ 3.6V, Cari - Sakit (Maks): 1µA,
