Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Zener - Subay

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Zener - Subay
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 99

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 13V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 9V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 140

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 20V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 14V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 137

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 36V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 28.8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 176

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Dözümlülük: ±9.68%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 3V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 141

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 16V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 11V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 172

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 21V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 86

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 24V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 17V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 127

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 22V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 16V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 153

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 98

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 114

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 27V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 19V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 118

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 13V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 89

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 142

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 65 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 37.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 173943

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 15V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 10V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 170

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 43V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 40 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 34.4V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 150

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 39V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 35 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 31.2V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

hissə-hissə: 8202

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 10V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

hissə-hissə: 3906

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 22V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 16V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

hissə-hissə: 8171

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 47V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 65 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 37.6V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

hissə-hissə: 8174

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 30V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 21V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 5464

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 33V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 26.4V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

hissə-hissə: 8245

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 12V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 8V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

hissə-hissə: 8173

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 11V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 7V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 152718

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 60 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 3V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 127852

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 4.9V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 138193

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 4.5V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 5349

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 5.5V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

hissə-hissə: 5364

Gərginlik - Zener (Nom) (Vz): 18V, Dözümlülük: ±10%, Güc - Maks: 700mW, Empedans (Maks) (Zzt): 30 Ohms, Cari - Ters Sızma @ Vr: 10µA @ 13V, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 200mA,

Arzu