Tiristorlar - SCR-lər | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 21

12TTS08STRR

hissə-hissə: 4797

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.2V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 8A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 12.5A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

hissə-hissə: 7584

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.15V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 6.5A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 10A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

hissə-hissə: 7614

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.15V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 6.5A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 10A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

hissə-hissə: 7644

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.2V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 8A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 12.5A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

hissə-hissə: 4813

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.2V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 8A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 12.5A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

hissə-hissə: 7583

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.15V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 6.5A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 10A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

hissə-hissə: 7620

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.15V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 6.5A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 10A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

hissə-hissə: 7665

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

hissə-hissə: 7597

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

hissə-hissə: 7581

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

hissə-hissə: 7616

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 120mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.57V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 110A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 172A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

hissə-hissə: 7605

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

hissə-hissə: 7639

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 400V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 120mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.57V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 110A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 172A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

hissə-hissə: 7603

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

hissə-hissə: 7640

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

hissə-hissə: 7612

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

hissə-hissə: 7561

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

hissə-hissə: 7567

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

hissə-hissə: 7649

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 60mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.4V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 10A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 16A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

hissə-hissə: 7552

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 1V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 15mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.2V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 8A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 12.5A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

hissə-hissə: 6353

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 600V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 40mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 2.3V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 22A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 35A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

hissə-hissə: 7636

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

hissə-hissə: 7571

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

hissə-hissə: 7576

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

hissə-hissə: 7581

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

hissə-hissə: 7613

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

hissə-hissə: 7660

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

hissə-hissə: 7607

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

hissə-hissə: 7638

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

hissə-hissə: 7653

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

hissə-hissə: 7614

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.25V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 16A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 25A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

hissə-hissə: 7665

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.3V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 20A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 30A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

hissə-hissə: 4828

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 45mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.3V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 20A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 30A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

hissə-hissə: 4854

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2.5V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 150mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.85V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 35A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 55A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

hissə-hissə: 4839

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 1.2kV, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2.5V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 150mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.85V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 35A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 55A,

Arzu

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

hissə-hissə: 7657

Gərginlik - qapalı vəziyyətdədir: 800V, Gərginlik - Gate Tetik (Vgt) (Maks): 2.5V, Cari - Qapı Tetikleyicisi (Igt) (Maks): 150mA, Gərginlik - Vəziyyətdə (Vtm) (Maks): 1.85V, Cari - Vəziyyəti (Bu (AV)) (Maks): 35A, Cari - Vəziyyəti (Bu (RMS)) (Maks): 55A,

Arzu