hissə-hissə: 413
FET növü: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET xüsusiyyət: Silicon Carbide (SiC), Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss): 1200V (1.2kV), Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C: 29.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ),