Tip | Təsvir |
Hissə statusu | Obsolete |
---|---|
Diyot növü | Silicon Carbide Schottky |
Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks) | 650V |
Cari - Orta düzəldilmişdir (Io) | 750mA |
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If | 1.39V @ 750mA |
Sürət | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Ters bərpa vaxtı (trr) | 0ns |
Cari - Ters Sızma @ Vr | 5µA @ 650V |
Tutum @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
Montaj növü | Through Hole |
Paket / Qutu | TO-257-3 |
Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-257 |
Əməliyyat temperaturu - qovşaq | -55°C ~ 250°C |
Rohs statusu | Rohs uyğun |
---|---|
Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
Fond kateqoriyası | Mövcud fond |