| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Obsolete |
|---|---|
| FET növü | - |
| Texnologiya | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 650V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Maks) | - |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 324pF @ 35V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 125W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Montaj növü | Surface Mount |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-276 |
| Paket / Qutu | TO-276AA |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
