Tip | Təsvir |
Hissə statusu | Obsolete |
---|---|
FET növü | N-Channel |
Texnologiya | SiCFET (Silicon Carbide) |
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 700V |
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 20V |
Vgs (Maks) | +25V, -10V |
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | - |
FET xüsusiyyət | - |
Güc Dağılımı (Maksimum) | 300W (Tc) |
Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj növü | Through Hole |
Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-247 [B] |
Paket / Qutu | TO-247-3 |
Rohs statusu | Rohs uyğun |
---|---|
Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
Fond kateqoriyası | Mövcud fond |