| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Active |
|---|---|
| FET növü | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET xüsusiyyət | Silicon Carbide (SiC) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Güc - Maks | 2140W |
| Əməliyyat temperaturu | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj növü | Chassis Mount |
| Paket / Qutu | Module |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | Module |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
