| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Active |
|---|---|
| FET növü | N-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 200V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 15.2A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 920pF @ 100V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 62.5W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj növü | Surface Mount |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | PG-TSDSON-8 |
| Paket / Qutu | 8-PowerTDFN |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
