Tip | Təsvir |
Hissə statusu | Active |
---|---|
FET növü | N-Channel |
Texnologiya | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 1200V |
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 15V |
Vgs (Maks) | +15V, -4V |
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
FET xüsusiyyət | - |
Güc Dağılımı (Maksimum) | 113.6W (Tc) |
Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj növü | Surface Mount |
Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-263-7 |
Paket / Qutu | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Rohs statusu | Rohs uyğun |
---|---|
Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
Fond kateqoriyası | Mövcud fond |