| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Preliminary |
|---|---|
| FET növü | P-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 30V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 4.3A (Ta) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.8nC @ 10V |
| Vgs (Maks) | ±25V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 642pF @ 25V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 1.38W |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj növü | - |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | - |
| Paket / Qutu | - |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
