| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Obsolete |
|---|---|
| FET növü | P-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 30V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
| Vgs (Maks) | ±25V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 528pF @ 15V |
| FET xüsusiyyət | Schottky Diode (Isolated) |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 900mW (Ta) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj növü | Surface Mount |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | 8-SOIC |
| Paket / Qutu | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
