Tip | Təsvir |
Hissə statusu | Obsolete |
---|---|
FET növü | N-Channel |
Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 55V |
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Maks) | ±20V |
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | - |
FET xüsusiyyət | - |
Güc Dağılımı (Maksimum) | - |
Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj növü | Through Hole |
Təchizatçı Cihaz Paketi | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paket / Qutu | i4-Pac™-5 |
Rohs statusu | Rohs uyğun |
---|---|
Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
Fond kateqoriyası | Mövcud fond |