| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Obsolete |
|---|---|
| FET növü | P-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 100V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 350pF @ 25V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj növü | Through Hole |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-262 |
| Paket / Qutu | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
