| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Active |
|---|---|
| FET növü | N-Channel |
| Texnologiya | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 1200V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 14A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 20V |
| Vgs (Maks) | +22V, -6V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 1125pF @ 800V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 139W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj növü | Through Hole |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-247-3 |
| Paket / Qutu | TO-247-3 |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
