| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Not For New Designs |
|---|---|
| FET növü | P-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 100V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | 150°C (TJ) |
| Montaj növü | Surface Mount |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | CPT3 |
| Paket / Qutu | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
