| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Not For New Designs |
|---|---|
| FET növü | N-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 560V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 208W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj növü | Surface Mount |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Qutu | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
