| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Not For New Designs |
|---|---|
| FET növü | N-Channel |
| Texnologiya | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 650V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Maks) | ±20V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 490pF @ 25V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 50W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj növü | Through Hole |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | PG-TO251-3 |
| Paket / Qutu | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
