| Tip | Təsvir |
| Hissə statusu | Not For New Designs |
|---|---|
| FET növü | N-Channel |
| Texnologiya | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss) | 650V |
| Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Sürücü Gərginliyi (Maks. RDS Açıq, Min. RDS Açıqdır) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (Maks) | ±18V |
| Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds | 2200pF @ 400V |
| FET xüsusiyyət | - |
| Güc Dağılımı (Maksimum) | 125W (Tc) |
| Əməliyyat temperaturu | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj növü | Through Hole |
| Təchizatçı Cihaz Paketi | TO-247-3 |
| Paket / Qutu | TO-247-3 |
| Rohs statusu | Rohs uyğun |
|---|---|
| Nəmin həssaslığı səviyyəsi (msl) | Tətbiq olunmur |
| Ömrüm statusu | Həyatın köhnəlməsi / sonu |
| Fond kateqoriyası | Mövcud fond |
