Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Transistorlar - Bipolar (BJT) - Diziler, Önc&

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

hissə-hissə: 102169

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

İstək siyahısına
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

hissə-hissə: 122236

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

İstək siyahısına
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

hissə-hissə: 174294

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

İstək siyahısına
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

hissə-hissə: 198421

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

İstək siyahısına
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

hissə-hissə: 171910

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

İstək siyahısına
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

hissə-hissə: 112948

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

İstək siyahısına
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

hissə-hissə: 176159

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

İstək siyahısına
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

hissə-hissə: 162673

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

İstək siyahısına
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

hissə-hissə: 149878

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

İstək siyahısına
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

hissə-hissə: 147362

Transistor növü: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

İstək siyahısına
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

hissə-hissə: 21546

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

hissə-hissə: 121902

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

İstək siyahısına
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

hissə-hissə: 121085

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

İstək siyahısına
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

hissə-hissə: 152076

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

hissə-hissə: 1466

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

hissə-hissə: 1531

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

hissə-hissə: 1529

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

hissə-hissə: 1468

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

hissə-hissə: 1537

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

hissə-hissə: 1441

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

hissə-hissə: 1506

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

hissə-hissə: 3210

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

hissə-hissə: 1473

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

hissə-hissə: 1470

Transistor növü: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

hissə-hissə: 1495

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

hissə-hissə: 1457

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

hissə-hissə: 3149

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 70mA, 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

hissə-hissə: 1427

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

hissə-hissə: 1454

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

hissə-hissə: 1473

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

hissə-hissə: 1505

Transistor növü: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

hissə-hissə: 1465

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

hissə-hissə: 1484

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

hissə-hissə: 1459

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

hissə-hissə: 1440

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

hissə-hissə: 1509

Transistor növü: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Rezistor - Baza (R1): 4.7 kOhms, DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

İstək siyahısına